Новости

Дата публикации: 22/03/2019
Категория: Новости ЦЛТ

Увидеть невидимое:
визуализация физических полей
в полупроводниковых материалах


В научно-техническом журнале «Фотоника» (#1/2019) опубликована статья Центра Лазерных Технологий «Увидеть невидимое: визуализация физических полей в полупроводниковых материалах». Авторы статьи - сотрудники научной лаборатории компании Александр Григорьев и Елена Черкесова - предлагают новый метод визуализации результатов воздействия внешних тепловых, электромагнитных и акустических полей на полупроводниковый материал. Метод основан на физическом эффекте сдвига края собственного поглощения полупроводника, находящегося под внешним физическим воздействием. Традиционные способы визуального наблюдения физических полей основаны на различных принципах взаимодействия полей с визуализирующими средами или окружающим пространством. Однако, в случае материалов, имеющих запрещенную зону, а это, в первую очередь, полупроводники, есть возможность визуально наблюдать различные поля внутри материала, основываясь на эффекте изменения ширины запрещенной зоны. Изменение ширины запрещенной зоны приводит к сдвигу края собственного поглощения материала, и, при просвечивании образца светом из спектрального диапазона края поглощения, можно получить контрастное изображение распределения внутри материала теплового, механического, электрического или магнитного поля.

Тепловой отпечаток поперечной моды TEM01 излучении CO2 лазера в GaAs.

Описанный в статье метод может поспособствовать решению многих технических задач. Применительно к лазерной технике, на основе визуализации теплового поля, индуцированного лазерным излучением, проходящим сквозь пластину полупроводникового материала, можно создать проходные измерители мощности и энергии лазерного излучения высокой интенсивности. Также можно реализовать оптические датчики различных физических величин, например, оптоволоконные твердотельные датчики давления, температуры, а также напряженности электрического и магнитного полей. Визуализация внешних воздействий может быть применена для измерения физических параметров полупроводниковых материалов. Например, регистрируя последовательно во времени изображения тепла или акустической волны, распространяющихся в материале, можно определить параметры материала: коэффициент теплопроводности или скорость волны соответственно. Кроме этого, метод визуализации может быть полезен для исследования напряженного состояния полупроводниковых материалов, например, электронных чипов, в процессе их работы.

Узнать подробнее о результатах исследований и предложенной технологии можно, обратившись на электронную почту grigoriev@ltc.ru



Статьи по теме:

страницы: 1