Новости

Мощные полупроводниковые источники излучения для накачки лазеров с оригинальной конструкцией теплоотвода, с выходной оптической мощностью до 4 кВт

Дата публикации: 29/09/2008
Категория: Новости лазерных технологий
Версия для печати

Предлагаются результаты разработки мощных полупроводниковых (п/п) источников излучения с выходной оптической мощностью до 4 кВт (удельная мощность 400 Вт/см2), выполненных в виде сборки (вертикального стека) 100-Вт квазинепрерывных импульсных лазерных линеек. Разработанные п/п источники предназначены для накачки твердотельных лазеров (ТТЛ) на основе неодимовых активных сред.
100-Вт линейки лазерных диодов (ЛЛ) изготавливались на основе квантоворазмерных гетероструктур. Чипы ЛЛ представляли собой периодическую структуру (с периодом 200 мкм) п/п диодов (50 единиц) с шириной излучающей площадки 160 мкм и длиной резонатора около 1 мм. Чипы ЛЛ напаивались на медный теплоотвод (ТО) с помощью припоя, содержащего индий, р-стороной вниз.
Для сборки ЛЛ в стек была разработана оригинальная конструкция теплоотвода, которая позволила последовательно соединять ЛЛ. Электрически ЛЛ в таком стеке включены также последовательно, а для изоляции электродов каждой ЛЛ используется Аl203-керамика типа "Поликор" (ВК-100-1), имеющая хорошие теплопроводящие свойства (около 20 Вт/м-град).
Для информационных систем был разработан ТТЛ (использующий для оптической накачки п/п источники на основе 100-Вт ЛЛ) с энергией излучения до 150 мДж (без жидкостного охлаждения) при длительности импульсов 10 нс и частоте их следования до 30 Гц.
В этом лазере активный элемент из алюмоиттриевого граната, легированного неодимом, размером Ø5x100 мм помещается в кварцевый отражатель с диэлектрическим покрытием. Боковая накачка активного элемента осуществляется стеком импульсной мощностью 3800 Вт при площади излучающей поверхности стека 10x95 мм2.
Длительность импульсов накачки составляет 250-300 мкс. Температурную стабилизацию диодного стека и активного элемента обеспечивают термоэлектрические элементы. В ближайшем будущем планируется серийный выпуск таких лазеров.

Источник: «ФОТОНИКА», 2008, №3, с.12-13, http://www.electronics.ru

Статьи по теме:

страницы: 1