Новости

Исследовано влияние лазерной обработки на электрофизические характеристики арсенид-галлиевых диодных структур с барьером Шоттки.

Дата публикации: 07/10/2008
Категория: Новости лазерных технологий
Версия для печати

Бекбергенов С.Е. и Камалов А.Б. исследовали влияние лазерной обработки на электрофизические характеристики арсенид-галлиевых диодных структур. При изготовлении полупроводниковых диодов, в процессе технологической обработки в базовой и приконтактной областях полупроводника, возникают дефекты, ухудшающие функциональные характеристики приборов. Улучшение параметров может быть достигнуто дополнительной атермической микроволновой, лазерной или ультразвуковой обработкой на завершающей стадии изготовления приборов, при этом лазерная технология обработки отличается мобильностью, доступностью и хорошей управляемостью процесса. Авторами показана возможность управления параметрами диодов при облучении лазерными импульсами небольшой интенсивности. Получен эффект немонотонного изменения функциональных параметров арсенид-галлиевых диодов Шоттки при лазерной обработке. Наблюдаемые эффекты были необратимы, стабильны и воспроизводились через 6 и 12 месяцев хранения образцов в изолированном боксе при комнатной температуре.

Источник: «Физика и химия обработки материалов», 2008, № 3, с.15-18, www.chem.msu.su

Статьи по теме:

страницы: 1