Новости

В США продемонстрирован лазерный наночип с абсолютно рекордной шириной перестройки излучения.

Дата публикации: 12/04/2009
Категория: Новости лазерных технологий
Версия для печати

Исследовательская группа Университета штата Аризона продемонстрировала полупроводниковый лазерный чип с абсолютно рекордной шириной перестройки излучения по длинам волн - от 500 до 700 нм. Полупроводниковые лазеры с широкой полосой перестройки дают исключительные возможности использования в различных приложениях, начиная со спектроскопии и телекоммуникаций и кончая микросхемами для биологических и химических детекторов.

Источник: «ЛазерИнформ», 2009, № 4 (403), с.10, www.nanowerk.com

Статьи по теме:

страницы: 1