Новости

Исследовано формирование структур дислокаций в приповерхностном слое кремния под воздействием лазерного излучения

Дата публикации: 12/04/2009
Категория: Новости лазерных технологий
Версия для печати

Кремний на сегодняшний день является одним из основных материалов современной электроники, технология производства которого хорошо разработана и относительно недорогая. А.Ф.Банишев, А.М.Павлов (г.Москва) исследовали процессы генерации и накопления дефектов в приповерхностном слое монокристаллического кремния при различных условиях и режимах лазерного воздействия. Изучена лазерно-стимулированная диффузия алюминия в приповерхностном слое кремния и формирование выпрямляющих р-n переходов на границе раздела n-Si:Al.
Исследованию механизмов образования дефектов и структур дефектов в полупроводниках при воздействии различных видов концентрированных потоков энергии (потока частиц, излучения) посвящено значительное число работ.
Интерес к этому понятен, так как полупроводники являются основными материалами современной твердотельной электроники, а наличие дефектов во многом определяет рабочие характеристики полупроводникового материала. Поэтому изучение механизмов образования дефектов и определение возможностей управления их концентрацией и пространственным распределением является актуальным для полупроводниковой технологии.
Даже в самых совершенных кристаллах всегда имеется определенная равновесная концентрация собственных дефектов (вакансий и междоузельных атомов), что следует из законов термодинамики. Внешние воздействия могут за короткое время существенно, на несколько порядков увеличить концентрацию дефектов и, таким образом, их неравновесная концентрация может значительно превысить термодинамически равновесные значения.
Именно в этих условиях, как правило, возникают явления самоорганизации в ансамбле дефектов, приводящие к пространственной модуляции плотности дефектов и образованию упорядоченных структур дефектов.
Особое внимание в последнее время уделяется изучению дефектов и наноструктур дефектов в кремнии, что, вероятно, связано с общим ростом интереса к изучению нанообъектов, обусловленном перспективами развития нанотехнологий и наноэлектроники, а также обнадеживающими результатами создания на основе кремния электролюминесцентных светоизлучающих приборов.
Возможность создания кремниевых светодиодов по единой, хорошо отработанной "кремниевой" технологии, с одной стороны, и возможность естественной совместимости кремниевых светодиодов с различными электронными и оптоэлектронными интегральными устройствами, выполненными на основе кремния и окиси кремния, с другой стороны, во многом определили огромный интерес к созданию именно кремниевых светоизлучателей.
Отмечено образование структур дислокаций, по форме повторяющих распределение интенсивности лазерного луча на поверхности кремния.

Источник: «Физика и химия обработки материалов», 2008, № 6, с.11-17, www.chem.msu.su

Статьи по теме:

страницы: 1