18-я Международная Конференция «Оптика лазеров» 2018 (ICLO 2018)

В Санкт-Петербурге с 4 по 8 июня прошла 18-я Международная конференция «Оптика Лазеров» (18th International Conference on Laser Optics ICLO 2018). Сотрудники лазерно-оптической лаборатории ЦЛТ представили доклад «Визуализация физических полей в полупроводниковых материалах» («Visualization of physical fields in semiconductor materials»).

В докладе наших специалистов изложены результаты разработки новой технологии визуализации физических полей в полупроводниковых материалах, основанной на изменении оптических характеристик материала, находящегося под локальным воздействием физического поля, в спектральной области края собственного поглощения материала.

В оптической, электронной и оптоэлектронной промышленности существует необходимость контролировать такие физические параметры материала, как температура, наличие механических напряжений или электромагнитного поля. Стандартные методы (термодатчики, зондовая микроскопия и измерение электронных характеристик микроэлектронных приборов с целью определения их качества) позволяют получить ограниченную информацию о физическом поле в материале. Предложенный специалистами Центра Лазерных Технологий метод позволяет быстро сформировать полную картину и оптическое изображение распределения физического поля в объеме тестируемого образца.

Известно, что воздействие физического поля на полупроводниковый материал изменяет ширину запрещенной зоны, что в свою очередь ведет к сдвигу края собственного поглощения материала. Новый метод основан на отличии оптических характеристик материала, находящегося под воздействием физического поля для света из спектральной области края собственного поглощения материала. Это различие позволяет получить оптическое изображение физического поля в полупроводнике классическими оптическими методами.

Иллюстрация метода визуализации

Разработанный специалистами Центра лазерных технологий метод может значительно упростить исследование физических параметров (теплопроводность, скорость звука, диэлектрическая проницаемость) новых материалов, а также обеспечить контроль качества в процессе производства оптических элементов и электронных чипов из стандартных полупроводниковых материалов. Кроме того, возможно создание нового поколения оптоволоконных датчиков и измерителей мощности лазерного излучения.