Исполнилось 80 лет вице-президенту Российской Академии наук, лауреату Ленинской и Нобелевской премий - Жоресу Ивановичу Алфёрову.

Дата публикации: 12/05/2010
Категория: Новости лазерных технологий
Версия для печати

Жорес Иванович Алфёров родился 15 марта 1930 года в Витебске (Белоруссия).
В 1952 году окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В.И.Ульянова - ЛЭТИ (в настоящее время - Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И.Ульянова (Ленина) - СПбГЭТУ. С 1953 г. работает в Физико-техническом институте имени А.Ф.Иоффе Академии наук.
Принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов. В 1961 году защитил кандидатскую диссертацию, в 1970-м - докторскую.
С 1887-го по май 2003 года - директор ФТИ им А.Ф.Иоффе, с мая 2003 г. по июль 2006-го - научный руководитель. Исследования Ж.И.Алфёрова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как «зонная инженерия».
В его лаборатории была разработана промышленная технология создания полупроводников на гетероструктурах. Первый непрерывный лазер на гетеропереходах был создан тоже в России.
Эта же лаборатория по праву гордится разработкой и созданием солнечных батарей, успешно примененных в 1986 году на космической станции «Мир»: батареи проработали весь срок эксплуатации до 2001 года без заметного снижения мощности.
С начала 1990-х годов учёный занимается исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.
Жорес Иванович многие годы сочетает научные исследования с преподавательской деятельностью.
С 1973 года он заведует базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ, с 1988-го - декан физико-технического факультета Санкт-Петербургского государственного технического университета, с 2003 года - председатель Научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН.
Научный авторитет Алфёрова чрезвычайно высок.
В 1972 году он был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР, в 1979-м - ее действительным членом, в 1990 году - вице-президентом Российской академии наук и Президентом Санкт-Петербургского научного центра РАН.
Труды академика Ж.И.Алфёрова - автора более 500 научных работ, в том числе трёх монографий и более 50 изобретений - получили широкую известность и мировое признание, вошли в учебники.
С 1989-го по 1992 год Жорес Иванович был народным депутатом СССР, с 1995 года - депутат Государственной Думы второго, третьего, четвертого и пятого созывов (фракция КПРФ). В 2002 году Алфёров стал инициатором учреждения премии «Глобальная энергия» (учредители - ОАО «Газпром», РАО «ЕЭС России», НК «ЮКОС» и ОАО «Сургутнефтегаз») и до 2006 года возглавлял Международный комитет по присуждению этой премии. Юбиляр - почетный доктор многих университетов и почетный член многих академий.
Награжден высокими правительственными наградами - орденами Ленина, Октябрьской Революции, Трудового Красного Знамени, Знаком Почета, «За заслуги перед Отечеством» IV, III, II и I степени, медалями СССР и Российской Федерации, Золотой медалью Баллантайна (1971) Франклиновского института (США), Хьюлет-Паккардовской премией Европейского физического общества (1972), медалью Х.Велькера (1987), премией А.П.Карпинского (1989) и премией А.Ф.Иоффе Российской академии наук (1996), Общенациональной неправительственной Демидовской премией РФ (1999), премией Киото за передовые достижения в области электроники (2001), премией «Глобальная энергия» (2005).
В 1992 г. в коллективе соавторов стал лауреатом Ленинской премии за фундаментальные исследования гетеропереходов в полупроводниках и создание новых приборов на их основе. В 2000 году ему была присуждена Нобелевская премия по физике «за достижения в электронике» совместно с американцами Джеком Килби и Гербертом Кремером. Кремер, как и Алферов, получил награду за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов, а Килби - за разработку идеологии и технологии создания микрочипов.
В 2002 году за работу «Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе» академик Ж.И. Алфёров и команда ученых, работающих вместе с ним, были удостоены Государственной премии Российской Федерации.
В феврале 2001 года Жорес Иванович учредил Фонд поддержки образования и науки для поддержки талантливой учащейся молодежи, содействия ее профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки.
Первый вклад в Фонд был им сделан из средств Нобелевской премии.

Источник: «ЛазерИнформ», 2010, № 5 (428), с.2-3 / www.cislaser.com

Статьи по теме: