Экспонирование электронным лучом образцов в сканирующем электронном микроскопе вызывает рост пленки аморфного углерода

Дата публикации: 17/03/2008
Категория: Новости лазерных технологий
Версия для печати

Экспонирование электронным лучом образцов в сканирующем электронном микроскопе (SЕМ) вызывает рост пленки аморфного углерода вследствие разложения молекул углеводорода, которые всегда присутствуют в камере микроскопа. Этот рост обусловлен главным образом вторичными электронами, которые рассеиваются атомами как образца, так и подложки.
Так как вторичные электроны рассеиваются и за пределами выставленной площади образца, их осаждение может происходить в геометрической тени и поэтому может быть использовано для соединения различных сложных трехмерных наноизделий с подложкой. Такая возможность показана путем приварки трехмерных Fе-Со-Ni - частиц размером 100 нм к поверхности пластинки из графита.
При толщине слоя больше 25 нм соединение наночастицы с подложкой настолько прочно, что частицу проще разрушить, чем оторвать.

Источник: Nanotechnology.- 2007,18, № 2, с. 025304/1-025304/6 // РЖ «Сварка» ВИНИТИ: 07.06-63.138 www.viniti.ru
Редактор: М.Тапельзон

Статьи по теме: